晶合集成获得发明专利授权:“半导体器件及其制作方法”

洪福气质 60801 0
专利摘要:本发明提供一种半导体器件及其制作方法。该半导体器件的制作方法中,提供的半导体衬底内形成有第一掺杂区,第一掺杂区具有第一导电类型,再在半导体衬底的顶面上形成外延层,其中,外延层包括层叠的第一外延层...

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